گــزارش کـارآمـــوزی برق و سیستم های دیجیتال

این گزارش کارآموزی کامل در 2 فصل تنظیم شده است و برای رشته های برق و الکترونیک مناسب میباشد. گزارش کاراموزی برق و سیستم های دیجیتال شامل توضیح کامل مراحل طراحی و ساخت و همچنین تعمییر و پشتیبانی دستگاه های الکترونیکی می باشد. می توانید گزارش را بصورت فایل Word و در 57 صفحه کاملا ویرایش و تنظیم شده و آماده تحویل از پایین همین صفحه (در انتهای توضیحات) دانلود نمایید.

به طور عمده سه بخش مرتبط به قرار زیر می باشند:

1- تولید کنندگان قطعات الکتریکی و تولید کننده گان دستگاه های الکترونیکی که تولیدات آنها در این شرکت در معرض فروش قرار می گیرد.

2- بخش طراحی و ساخت دستگاه های الکترونیکی که در این شرکت توسط مهندسان مجرب کار طراحی و ساخت پروژه ها برای ارگانها، شرکت هاو افراد شخصی صورت می گرفت.

3- بخش تعمیرات و پشتیبانی دستگاه های تولیدی و همچنین تولیدات دیگر شرکت ها که در این شرکت در معرض عرضه قرار می گرفت.

فهرست مطالب

فصل اول  آشنایی با محل کارآموزی1-1 آشنایی کلی با مکان کارآموزی.. 2فصل دوم  فعالیت های انجام شده2-1 ارزیابی بخشهای مرتبط با رشته علمی کارآموز. 42-2 مقدمه. 42-3 آشنایی با ساخت پیوند p-n. 52-4 رشد رونشستی.. 52-5 ترانزیستورها82-5-1 کاربرد. 82-5-2 عملکرد. 82-5-3 انواع. 92-6 ترانزیستور دوقطبی پیوندی.. 92-7 ترانزیستور اثر میدان پیوندی.. 92-8 انواع ترانزیستور پیوندی.. 92-8-1 pnp. 92-8-2 npn. 92-9 شیوه ی اتصال ترازیستورها102-10 ترانزیستور اثر میدان MOS. 112-10-1 ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت... 112-11 شکل و پایه های ترانزیستورها122-12 آی سی های سری 7400. 182-12-1 نوع TTL.. 182-12-1-1 تغذیه گروه TTL.. 192-12-1-2 میزان ولتاژ خروجی در حالت 1 و 0. 192-12-1-3 جریان خروجی خانواده گروه TTL.. 192-12-2 نوع CMOS. 192-12-2-1 میزان ولتاژ خروجی در حالت 1 و 0. 192-12-2-2 جریان خروجی خانواده گروه CMOS. 202-13 خازن.. 202-14 انواع حسگرها252-15 حسگرهای مورد استفاده در رباتیک... 262-15-1 حسگرهای تماسی.. 262-15-2 حسگرهای هم جواری.. 272-15-3 حسگرهای دوربرد. 272-15-4 حسگر نوری.. 272-16 آشنائی با LCD.. 282-17رله ها31تغذیه ترانسفورماتوری.. 322-18 سیستم های دیجیتال.. 352-19 مدارهای ترتیبی.. 372-20 حافظه های الکترونیکی.. 392-21 کار با مولتی متر. 412-22 آشنایی با دستگاه اسیلوسکوپ.. 432-23 آی سی 555. 472-24 تشریح پایه های درایور موتور ال 298 L298. 50

دانلود مقاله An Efficient Novel Key management scheme using NchooseK algorithm for Wireless Sensor Networks

Title: An Efficient Novel Key management scheme using NchooseK algorithm for Wireless Sensor Networks

Author(S) :Harjot Bawa1, Parminder Singh2 and Rakesh Kumar3

Journal/Conference Name: International Journal of Computer Networks & Communications (IJCNC)

4 :Volume

Year: 2012

6:Issue

Pages: all

Abstract
In Wireless Sensor Networks Key Management is a very challenging phenomenon. This paper gives an
illustration and demonstration of mathematical model of new key management scheme which overcomes
the limitation of Pre-Shared key scheme, which is extensively used in wireless sensor networks by most of
the vendors. The environment of WSN is challenged by many limitations due to which there is an urgent
need to manage memory which is consumed while provisioning of the key in the wireless sensor network
by using N-chooseK algorithm. We were successfully able to build a more reliable network in terms of
network connectivity .Secondly it offers a scalable solution as there is no need to keep key material of all
the network in each sensor node.

در صورت بروز مشکل در دانلود مقاله یا سوال با آدرس ایمیل [e-mail] مکاتبه نمایید.

با تشکر

دانلود تحقیق حسگر اثر هال

اثر هال توسط دکتر ادوین هال (Dr. Edwin Hall) در سال ۱۸۷۹ کشف شد.او پی برد وقتی که میدان مغناطیسی عمودی یک آهنربا به یک ضلع مستطیل نازکی از جنس طلا که دارای جریان الکتریکی است وارد می‌شود باعث بوجودامدن اختلاف پتانسیل در ضلع مقابل می‌گردد. همچنین او با این نکته پی برد که میزان ولتاژ به اندازه جریان عبوری از رسانا و چگالی شار مغناطیسی عمود بر صفحه مستطیل بستگی دارد.

 یک صفحه نازک از ماده هال را نشان می‌دهد که حامل جریانI در امتداد محور طولی می‌باشد. ماده هال می‌تواند  یا نیمه رساناهایی از نوع P مانند آرسناید گالیوم یا GaAs، آنتیموناید ایندیوم یا InSb وآرسناید ایندیوم یا InAs باشد. ولتمتری در مسیر محور عرضی این صفحه قرار داده شده‌است که در غیاب میدان مغناطیسی عمود بر صفحه ولتاژ صفر را نمایش می‌دهد. شکل هنگامیکه یک میدان مغناطیسی در جهت محور عمود بر صفحه نیمه رسانا به آن اعمال شود (مطابق شکل ۲-۱) نیروی لورنتز(به انگلیسی:Lorentz Force) بر حامل‌های بار(الکترونها و حفره‌ها) اعمال شده در نتیجه آنها به دو طرف صفحه نیمه هادی رانده می‌شوند. در نتیجه اختلاف پتانسیلی در عرض صفحه بوجود آمده و ولتمتر ولتاژ اندکی را نشان می‌دهد که به آن ولتاژ هال () می‌گویند. در صورتی که جهت میدان مغناطیسی برعکس گردد، ولتاژ بوجور آمده نیز در جهت مخالف ظاهر می‌گردد. دربارهٔ کشف اثر هال آنجه باعث شگفتی است این نکته‌است که حتی در شرایط حالت ماندگار (steady state) نیز شاهد این پدیده هستیم. به این معنی که وقتی میدان مغناطیسی اعمالی و جریان الکتریکی عبوری نیز در طول زمان مقدار ثابتی داشته باشند، همچنان شاهد ولتاژ بوجود آمده در جهت محور عرضی صفحه هستیم.

حسگرهای اثر هال در بسیاری از ابزار اندازه گیری استفاده می‌شوند. در شرایطی که متغیر حس شونده میدان مغناطیسی تولید کند یا آنرا از خود عبور دهد حسگرهای اثر هال به خوبی وظیفه خود را انجام می‌دهند ولتاژ هال متناسب است با جریان الکتریکی (I) و میدان مغناطیسی (B)

اندازه این ولتاژ در محدودهٔ میکرو ولت می‌باشد. به همین خاطر در کاربردهای عملی حضور تقویت کننده‌ها ضروری می‌باشد.

اساس کار حسگرهای اثر هال

یک حسگر اثر هال مبدلی است که در پاسخ به تغییرات میدان مغناطیسی خروجی ولتاژ نشان می‌دهد.با اعمال میدان‌های مغناطیسی نسبتا بزرگ ولتاژ خروجی در محدودهٔ چند میکروولت می‌باشد . برای ارتقا حساسیت حسگر و گرفتن خروجی مطلوب با بیشترین دقت و با حداقل خطای هیسترزیس باید از تقویت کننده، رگولاتور ولتاژ و مدارهای سوییچینگ منطقی استفاده کرد.

حسگرهای اثر هال به دو نوع عمده تقسیم می‌شوند:

۱.حسگرهای خطی یا آنالوگ

ولتاژ خروجی این نوع حسگر مستقیما از خروجی تقویت کننده گرفته می‌شود که متناسب است با اندازه میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده.

فایل ورد 6 ص

دانلود تحقیق حسگر اثر هال

اثر هال توسط دکتر ادوین هال (Dr. Edwin Hall) در سال ۱۸۷۹ کشف شد.او پی برد وقتی که میدان مغناطیسی عمودی یک آهنربا به یک ضلع مستطیل نازکی از جنس طلا که دارای جریان الکتریکی است وارد می‌شود باعث بوجودامدن اختلاف پتانسیل در ضلع مقابل می‌گردد. همچنین او با این نکته پی برد که میزان ولتاژ به اندازه جریان عبوری از رسانا و چگالی شار مغناطیسی عمود بر صفحه مستطیل بستگی دارد.

 یک صفحه نازک از ماده هال را نشان می‌دهد که حامل جریانI در امتداد محور طولی می‌باشد. ماده هال می‌تواند  یا نیمه رساناهایی از نوع P مانند آرسناید گالیوم یا GaAs، آنتیموناید ایندیوم یا InSb وآرسناید ایندیوم یا InAs باشد. ولتمتری در مسیر محور عرضی این صفحه قرار داده شده‌است که در غیاب میدان مغناطیسی عمود بر صفحه ولتاژ صفر را نمایش می‌دهد. شکل هنگامیکه یک میدان مغناطیسی در جهت محور عمود بر صفحه نیمه رسانا به آن اعمال شود (مطابق شکل ۲-۱) نیروی لورنتز(به انگلیسی:Lorentz Force) بر حامل‌های بار(الکترونها و حفره‌ها) اعمال شده در نتیجه آنها به دو طرف صفحه نیمه هادی رانده می‌شوند. در نتیجه اختلاف پتانسیلی در عرض صفحه بوجود آمده و ولتمتر ولتاژ اندکی را نشان می‌دهد که به آن ولتاژ هال () می‌گویند. در صورتی که جهت میدان مغناطیسی برعکس گردد، ولتاژ بوجور آمده نیز در جهت مخالف ظاهر می‌گردد. دربارهٔ کشف اثر هال آنجه باعث شگفتی است این نکته‌است که حتی در شرایط حالت ماندگار (steady state) نیز شاهد این پدیده هستیم. به این معنی که وقتی میدان مغناطیسی اعمالی و جریان الکتریکی عبوری نیز در طول زمان مقدار ثابتی داشته باشند، همچنان شاهد ولتاژ بوجود آمده در جهت محور عرضی صفحه هستیم.

حسگرهای اثر هال در بسیاری از ابزار اندازه گیری استفاده می‌شوند. در شرایطی که متغیر حس شونده میدان مغناطیسی تولید کند یا آنرا از خود عبور دهد حسگرهای اثر هال به خوبی وظیفه خود را انجام می‌دهند ولتاژ هال متناسب است با جریان الکتریکی (I) و میدان مغناطیسی (B)

اندازه این ولتاژ در محدودهٔ میکرو ولت می‌باشد. به همین خاطر در کاربردهای عملی حضور تقویت کننده‌ها ضروری می‌باشد.

اساس کار حسگرهای اثر هال

یک حسگر اثر هال مبدلی است که در پاسخ به تغییرات میدان مغناطیسی خروجی ولتاژ نشان می‌دهد.با اعمال میدان‌های مغناطیسی نسبتا بزرگ ولتاژ خروجی در محدودهٔ چند میکروولت می‌باشد . برای ارتقا حساسیت حسگر و گرفتن خروجی مطلوب با بیشترین دقت و با حداقل خطای هیسترزیس باید از تقویت کننده، رگولاتور ولتاژ و مدارهای سوییچینگ منطقی استفاده کرد.

حسگرهای اثر هال به دو نوع عمده تقسیم می‌شوند:

۱.حسگرهای خطی یا آنالوگ

ولتاژ خروجی این نوع حسگر مستقیما از خروجی تقویت کننده گرفته می‌شود که متناسب است با اندازه میدان مغناطیسی خارجی اعمال شده.

فایل ورد 6 ص

دانلود مقاله An Efficient Novel Key management scheme using NchooseK algorithm for Wireless Sensor Networks

Title: An Efficient Novel Key management scheme using NchooseK algorithm for Wireless Sensor Networks

Author(S) :Harjot Bawa1, Parminder Singh2 and Rakesh Kumar3

Journal/Conference Name: International Journal of Computer Networks & Communications (IJCNC)

4 :Volume

Year: 2012

6:Issue

Pages: all

Abstract
In Wireless Sensor Networks Key Management is a very challenging phenomenon. This paper gives an
illustration and demonstration of mathematical model of new key management scheme which overcomes
the limitation of Pre-Shared key scheme, which is extensively used in wireless sensor networks by most of
the vendors. The environment of WSN is challenged by many limitations due to which there is an urgent
need to manage memory which is consumed while provisioning of the key in the wireless sensor network
by using N-chooseK algorithm. We were successfully able to build a more reliable network in terms of
network connectivity .Secondly it offers a scalable solution as there is no need to keep key material of all
the network in each sensor node.

در صورت بروز مشکل در دانلود مقاله یا سوال با آدرس ایمیل [e-mail] مکاتبه نمایید.

با تشکر