آموزش 0 تا 100 ارکد PSPice

آموزش 0 تا صد ارکد در قالب پاورپوینت و نصویری

کاملا کاربردی برای دروس

الکترونیک 1 ، 2 ، 3

الکترونیک صنعتی

و همه ی مدارات آنالوگ

تحقیق در مورد الکترونیک صنعتی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 45

دینامیک دیود قطع:                                 

با فرض اینکه یک دیود در بایاس مستقیم قرار دارد می خواهیم با بایاس معکوس آن را خاموش کنیم انتظار داریم که بلافاصله جریان دیود صفر شود در دیودهای با آمپر پائین این مسئله شاید اتفاق بیافتد امّا در دیودهای با آمپر بالا بدلیل بالا بودن حاملهای اکثریت و بالا بودن بار ذخیره شده، این پدیده به سادگی اتفاق نمی افتد. همان گونه که در شکل (1 ) مشاهده می کنیم حتّی در جهت منفی نیزدر لحظه کوتاهی جریان داریم،به زمان مورد نظر    trr گفته می شود زمان بازسازی در سرعت سوئیچینگ دیودها اثر دارد .

انواع دیودهای قدرت:     

دیودهای قدرت بسته به جریان عبوری ولتاژ معکوس،سرعت قطع و وصل سوئیچینگ به 3 دسته تقسیممی شوند 1 دیودهای استاندارد یا همه کاره. این دیودها زمان بازسازی -25msجریان 1 تا چند هزار آمپر. ولتاژ معکوس تا 5kv کیلو ولت ساخته می شوند.

این دیودها برای کاربردهای تا 1khz مورد استفاده قرار می گیرند.

دیودهای با بازسازی سریع:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود 5ms جریان تا 100aولتاژ معکوس تا 3kv برای کار در مدارات چا پری واینورتری ساخته می شوند.

دیودهای شاتکی:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود نانوثانیه می باشند. مثلا در حدود 230 نانوثانیه تا جریان 100a ،ولتاژ معکوس 100v و برای کار در منابع تغذیه با جریان کم ساخته شده است.

پارامترهای اجرایی دیودها:

عبارتنداز کمیت هایی که در برگه اطلاعات دیودها داده می شود و همان پارامترهای اجرائی دیودهای معمولی می باشد با این تفاوت که مقاومت حرارتی (jc) اتصال بدنه داده شده است .

دیودهای موازی :

در کاربردهای قدرت مقرون به صرفه است که به جای یک دیود آمپربالا چند دیود را با هم موازی کنیم . در موازی کردن دیودها باید دقت کرد که تقسیم جریان بین دیودها مساوی اتفاق بیافتد .بدین منظور از ساختاری مانند شکل (2) استفاده می کنیم .

ترانزیستورهای قدرت :

منظور از ترانزیستور و قدرت ،تقویت کنندگی دامنه شکل موج ورودی نیست بلکه در این حالت منظور ترانزیستورهایی است که جریان زیاد را قطع و وصل می کنند .

انواع ترانزیستورهای قدرت :

mosigt - mosfet - bjt 

مزیت مهم ترانزیستورها سرعت سوئیچینگ بالای آنهاست بنابراین کابردهای زیادی در مدارهای کونورتوری دارند .از طرفی نیاز به مدارات جانبی کوموتاسیون اجباری ندارند به هر حال با کنترل کمیت های بیس و یا گیت می توان المان را خاموش و یا روشن کرد .

ترانزیستورbjt قدرت:

همان گونه که می دانید هر ترانزیستور بی جی تی یک کلید کنترل شده با جریان است .برای این ترانزیستور می توانیم یک منحنی مشخصه خروجی داشته باشیم مانند شکل (3) .این منحنی مشخصه دارای 3 ناحیه است .ناحیه قطع – ناحیه اشباع – ناحیه فعال

برای تقویت کنندگی نقطه کار را در ناحیه فعال قرار می دهیم و برای سوئیچینگ و کلید زنی نقطه کار را در ناحیه قطع و اشباع می باشد .

ناحیه عملکرد مطمئن مستقیم یا rbsoa :

مقداری از ولتاژ کلکتور امیتر و ic می باشند که به ترانزیستور اجازه نمی دهند با پدیده مخرب شکست ثانویه یا sb بسوزد .

پدیده sb چیست:

از آنجایی که در ترانزیستورهای قدرت جریان بیس مقدار بسیار زیادی است در حد آمپر ، بنابراین در ابتدای روشن شدن این جریان زیاد در نقطه کوچکی از پیوند بیس امیتر می تواند حرارت زیادی را تولید کند . این حرارت زیاد موجبات نقطه سوز شدن و از بین رفتن ترانزیستور خواهد شد.

منطقه کار ایمن بایاس معکوس :

در مدت قطع شدن ترانزیستور باید جریان و ولتاژ زیادی را تحمل کند ولتاژ بیس امیتر در بایاس معکوس ، ولتاژ کلکتور امیتر در یک سطح ایمن .این ناحیه را و این مقادیر حدی را سازندگان اعلام میکنند که به ناحیه fbsoa مشهور است

سوئیچینگ ترانزیستور:

بایاس ترانزیستور برای سوئیچینگ به صورت مستقیم بایاس می شود مقاومت های rc&rb ترانزیستور را در ناحیه fbsoa&rbsoa قرار می دهد مانند شکل (4) که این نواحی جزء منطقه قطع و اشباع منحنی مشخصه میباشند .میدانیم که یک ترانزیستور دارای سه منطقه کار میباشد .منطقه قطع که هر دو پیوند معکوس میباشند.منطقه اکتیو که یک پیوند در بایاس مستقیم و پیوند دیگر در بایاس معکوس است .در این حالت ترانزیستور به صورت یک تقوت کننده عمل میکند .در منطقه اشباع جریان بیس را به حد کافی بزرگ انتخاب می کنیم لذا ولتاژ کلکتور امیتر کم بوده و ترانزیستور بصورت یک کلید عمل میکند و هر دو پیوند کلکتور بیس و بیس امیتر در بایاس مستقیم می باشد .

جریان کلکتور در این حالت برابر است با :    ic=vcc-vce

   rc

جریان بیس از رابطه زیر بدست خواهد آمد:

ib=icsat 

 min β    

ضریب تحریک اضافی یا odf :

odf به صورت نسبت بین ibf بهibs، ibf بسیار بزگتر از ibs می تواند انتخاب شود.بعنوان مثال برای یک مدار ترانزیستوری می توانیم odf را 5 در نظر بگیریم .

تلفات در یک ترانزیستور :

تلفات در یک ترانزیستور برابر است با مجموع تلفات پیوند ce و پیوند beیعنی می توان نوشت :pt=vcesat.icsat+vbesat.ibf همان گونه که ملاحظه می کنید توان خیلی زیادی در عنصر تلف می شود . بنابراین باید در نظر داشته باشیم که هنگامی که ترانزیستور اشباع شد طرف قدرت افزایش می یابد . به ازای مقادیر بزرگ odf ترانزیستور ممکن است بخاطر وقوع مسئله حرارتی صدمه ببیند . از طرفی اگر ترانزیستور بصورت ضعیف تحریک شود امکان دارد که ترانزیستور به ناحیه فعال کشیده شود که در این حالت نیز به علت بالا بودن ولتاژ ce تلفات در ترانزیستور بالا خواهد بود .

مشخصه سوئیچ زنی:                                

همان گونه که دربارۀ دیود گفته شد ترانزیستور bjtدر زمان روشن شدن و در زمان خاموش شدن بصورت ناگهانی عکس العمل نشان نخواهد داد .

دلیل این قضیه این است که پیوند بیس امیتر علاوه بر خاصیت مقاومتی،یک خاصیت خازنی نیز از خود نشان می دهد و پیوند bc نیز یک خاصیت خازنی از خود نشان می دهد  یعنی شکل (5) را برای ترانزیستور می توانیم داشته باشیم .

وجود این خازنها باعث می شود که چه در لحظه روشن شدن و چه در لحظه خاموش شدن جریان کلکتور به این ترتیب باشد مانند شکل (6) .از بین دو خازن موجود خازن cb به علت داشتن اثر میلر در ضریب تقویت ،تقویت کننده ضرب میشود و اثر بیشتری از خود نشان می دهد . برای جبران این اثر مدار بایاس ترانزیستور را بصورت شکل (7) اصلاح می کنیم .

ثابت زمانی این شبکه باید با ثابت زمانی مدل ترانزیستور برابر باشد تا بهترین حالت کلید زنی را داشته باشیم . به این نوع کنترل ،کنترل وصل تحریک بیس می گویند .

bjt: کلید کنترل شده با جریان

fet: جریان کنترل شده با ولتاژ

mosfet : جریان کنترل شده با ولتاژ

ترانزیستور bgt دارای امپدانس ورودی کم،جریان ورودی زیاد می باشد . امٌا دارای تلفات حالت وصل کوچکی است یعنی اینکه در زمانیکه ترانزیستور وصل است ولتاژ کمی در دو سر ce آن افت می کند .

 برای بهبود وضعیت امپدانس ورودی از ترانزیستورهای fet استفاده می کنیم .این ترانزیستورها ،ترانزیستورهایی می باشند که با تاثیر میدان الکتریکی بین گیت و سورس عمل می کنند در واقع گیت و سورس آن یک دیود در بایاس معکوس می باشد برای بالا بردن امپدانس ورودی و کاهش هر چه بیشتر جریان ورودی گیت را از کانال ds بوسیلۀ یک عایق از جنس اکسید فلز عایق می کنند . در این حالت جریان ورودی به حدود نانو آمپر می رسد .(تقریبأ صفر)

بنابراین استفاده از mosfet ها در الکترونیک صنعتی به عنوان کلیدهایی که مستقیمااز مدارهای میکرو می توانند فرمان بگیرند مطرح می شوند .mosfet به دو دسته تقسیم می شوند . mosfet های تخلیه شونده و دسته دیگر mos های افزودنی .

mosهای مورد استفاده در الکترونیک صنعتی از نوع افزودنی می باشند .

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

کتاب الکترونیک قدرت به زبان انگلیسی دنیل هارت نسخه ی کامل

کتاب الکترونیک قدرت هارت به زبان انگلیسی نسخه ی کامل

دانلود پاورپوینت فوق العاده کامل الکترونیک صنعتی در 62 اسلاید

مقدمه

دیودهای نیمه هادی قدرت

مدارات دیودی و یکسوکننده ها

تریستورها

یکسوکننده های کنترل شده

کنترل کننده های ولتاژ متناوب

روشهای کموتاسیون

چاپرهای DC

الکترونیک قدرت ترکیبی از قدرت، الکترونیک و کنترل است.

الکترونیک، مدارها وسایل پردازشگر یا پردازنده سیگنالها را بررسی میکند که برای بدست آوردن هدفهای کنترلی مطلوب مورد استفاده قرار میگیرد.

قدرت، وسایل قدرت استاتیک و گردنده را که در تولید، انتقال و توزیع توان الکتریکی به کار گرفته میشود بررسی میکند.

کنترل به بررسی مشخصه های دینامیک و حالت پایدار سیستمهای با حلقه بسته میپردازد.

الکترونیک براساس خاصیت کلید زنی عناصر نیمه هادی قدرت پایه گذاری شده است.

شکل بعد رابطه الکترونیک قدرت با قدرت، الکترونیک و کنترل را نشان میدهد.

دیودهای نیمه هادی قدرت نقش مهمی را مدارات الکترونیک قدرت ایفا میکنند.

دیود به عنوان کلیدی عمل میکند که کارهای بسیاری را از قبیل کلیدهای یکسوکننده، عمل هرزگردی در رگولاتورهای کلید زنی، معکوس سازی بار خازن و انتقال انرژی مابین اجزا، جداسازی ولتاژ، فیدبک انرژی از بار به منبع و آزاد سازی انرژی ذخیره شده را انجام میدهد.

دانلود پاورپوینت فوق العاده کامل الکترونیک صنعتی در 62 اسلاید

مقدمه

دیودهای نیمه هادی قدرت

مدارات دیودی و یکسوکننده ها

تریستورها

یکسوکننده های کنترل شده

کنترل کننده های ولتاژ متناوب

روشهای کموتاسیون

چاپرهای DC

الکترونیک قدرت ترکیبی از قدرت، الکترونیک و کنترل است.

الکترونیک، مدارها وسایل پردازشگر یا پردازنده سیگنالها را بررسی میکند که برای بدست آوردن هدفهای کنترلی مطلوب مورد استفاده قرار میگیرد.

قدرت، وسایل قدرت استاتیک و گردنده را که در تولید، انتقال و توزیع توان الکتریکی به کار گرفته میشود بررسی میکند.

کنترل به بررسی مشخصه های دینامیک و حالت پایدار سیستمهای با حلقه بسته میپردازد.

الکترونیک براساس خاصیت کلید زنی عناصر نیمه هادی قدرت پایه گذاری شده است.

شکل بعد رابطه الکترونیک قدرت با قدرت، الکترونیک و کنترل را نشان میدهد.

دیودهای نیمه هادی قدرت نقش مهمی را مدارات الکترونیک قدرت ایفا میکنند.

دیود به عنوان کلیدی عمل میکند که کارهای بسیاری را از قبیل کلیدهای یکسوکننده، عمل هرزگردی در رگولاتورهای کلید زنی، معکوس سازی بار خازن و انتقال انرژی مابین اجزا، جداسازی ولتاژ، فیدبک انرژی از بار به منبع و آزاد سازی انرژی ذخیره شده را انجام میدهد.