تحقیق در مورد الکترونیک صنعتی

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 45

دینامیک دیود قطع:                                 

با فرض اینکه یک دیود در بایاس مستقیم قرار دارد می خواهیم با بایاس معکوس آن را خاموش کنیم انتظار داریم که بلافاصله جریان دیود صفر شود در دیودهای با آمپر پائین این مسئله شاید اتفاق بیافتد امّا در دیودهای با آمپر بالا بدلیل بالا بودن حاملهای اکثریت و بالا بودن بار ذخیره شده، این پدیده به سادگی اتفاق نمی افتد. همان گونه که در شکل (1 ) مشاهده می کنیم حتّی در جهت منفی نیزدر لحظه کوتاهی جریان داریم،به زمان مورد نظر    trr گفته می شود زمان بازسازی در سرعت سوئیچینگ دیودها اثر دارد .

انواع دیودهای قدرت:     

دیودهای قدرت بسته به جریان عبوری ولتاژ معکوس،سرعت قطع و وصل سوئیچینگ به 3 دسته تقسیممی شوند 1 دیودهای استاندارد یا همه کاره. این دیودها زمان بازسازی -25msجریان 1 تا چند هزار آمپر. ولتاژ معکوس تا 5kv کیلو ولت ساخته می شوند.

این دیودها برای کاربردهای تا 1khz مورد استفاده قرار می گیرند.

دیودهای با بازسازی سریع:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود 5ms جریان تا 100aولتاژ معکوس تا 3kv برای کار در مدارات چا پری واینورتری ساخته می شوند.

دیودهای شاتکی:

این دیودها دارای زمان بازسازی در حدود نانوثانیه می باشند. مثلا در حدود 230 نانوثانیه تا جریان 100a ،ولتاژ معکوس 100v و برای کار در منابع تغذیه با جریان کم ساخته شده است.

پارامترهای اجرایی دیودها:

عبارتنداز کمیت هایی که در برگه اطلاعات دیودها داده می شود و همان پارامترهای اجرائی دیودهای معمولی می باشد با این تفاوت که مقاومت حرارتی (jc) اتصال بدنه داده شده است .

دیودهای موازی :

در کاربردهای قدرت مقرون به صرفه است که به جای یک دیود آمپربالا چند دیود را با هم موازی کنیم . در موازی کردن دیودها باید دقت کرد که تقسیم جریان بین دیودها مساوی اتفاق بیافتد .بدین منظور از ساختاری مانند شکل (2) استفاده می کنیم .

ترانزیستورهای قدرت :

منظور از ترانزیستور و قدرت ،تقویت کنندگی دامنه شکل موج ورودی نیست بلکه در این حالت منظور ترانزیستورهایی است که جریان زیاد را قطع و وصل می کنند .

انواع ترانزیستورهای قدرت :

mosigt - mosfet - bjt 

مزیت مهم ترانزیستورها سرعت سوئیچینگ بالای آنهاست بنابراین کابردهای زیادی در مدارهای کونورتوری دارند .از طرفی نیاز به مدارات جانبی کوموتاسیون اجباری ندارند به هر حال با کنترل کمیت های بیس و یا گیت می توان المان را خاموش و یا روشن کرد .

ترانزیستورbjt قدرت:

همان گونه که می دانید هر ترانزیستور بی جی تی یک کلید کنترل شده با جریان است .برای این ترانزیستور می توانیم یک منحنی مشخصه خروجی داشته باشیم مانند شکل (3) .این منحنی مشخصه دارای 3 ناحیه است .ناحیه قطع – ناحیه اشباع – ناحیه فعال

برای تقویت کنندگی نقطه کار را در ناحیه فعال قرار می دهیم و برای سوئیچینگ و کلید زنی نقطه کار را در ناحیه قطع و اشباع می باشد .

ناحیه عملکرد مطمئن مستقیم یا rbsoa :

مقداری از ولتاژ کلکتور امیتر و ic می باشند که به ترانزیستور اجازه نمی دهند با پدیده مخرب شکست ثانویه یا sb بسوزد .

پدیده sb چیست:

از آنجایی که در ترانزیستورهای قدرت جریان بیس مقدار بسیار زیادی است در حد آمپر ، بنابراین در ابتدای روشن شدن این جریان زیاد در نقطه کوچکی از پیوند بیس امیتر می تواند حرارت زیادی را تولید کند . این حرارت زیاد موجبات نقطه سوز شدن و از بین رفتن ترانزیستور خواهد شد.

منطقه کار ایمن بایاس معکوس :

در مدت قطع شدن ترانزیستور باید جریان و ولتاژ زیادی را تحمل کند ولتاژ بیس امیتر در بایاس معکوس ، ولتاژ کلکتور امیتر در یک سطح ایمن .این ناحیه را و این مقادیر حدی را سازندگان اعلام میکنند که به ناحیه fbsoa مشهور است

سوئیچینگ ترانزیستور:

بایاس ترانزیستور برای سوئیچینگ به صورت مستقیم بایاس می شود مقاومت های rc&rb ترانزیستور را در ناحیه fbsoa&rbsoa قرار می دهد مانند شکل (4) که این نواحی جزء منطقه قطع و اشباع منحنی مشخصه میباشند .میدانیم که یک ترانزیستور دارای سه منطقه کار میباشد .منطقه قطع که هر دو پیوند معکوس میباشند.منطقه اکتیو که یک پیوند در بایاس مستقیم و پیوند دیگر در بایاس معکوس است .در این حالت ترانزیستور به صورت یک تقوت کننده عمل میکند .در منطقه اشباع جریان بیس را به حد کافی بزرگ انتخاب می کنیم لذا ولتاژ کلکتور امیتر کم بوده و ترانزیستور بصورت یک کلید عمل میکند و هر دو پیوند کلکتور بیس و بیس امیتر در بایاس مستقیم می باشد .

جریان کلکتور در این حالت برابر است با :    ic=vcc-vce

   rc

جریان بیس از رابطه زیر بدست خواهد آمد:

ib=icsat 

 min β    

ضریب تحریک اضافی یا odf :

odf به صورت نسبت بین ibf بهibs، ibf بسیار بزگتر از ibs می تواند انتخاب شود.بعنوان مثال برای یک مدار ترانزیستوری می توانیم odf را 5 در نظر بگیریم .

تلفات در یک ترانزیستور :

تلفات در یک ترانزیستور برابر است با مجموع تلفات پیوند ce و پیوند beیعنی می توان نوشت :pt=vcesat.icsat+vbesat.ibf همان گونه که ملاحظه می کنید توان خیلی زیادی در عنصر تلف می شود . بنابراین باید در نظر داشته باشیم که هنگامی که ترانزیستور اشباع شد طرف قدرت افزایش می یابد . به ازای مقادیر بزرگ odf ترانزیستور ممکن است بخاطر وقوع مسئله حرارتی صدمه ببیند . از طرفی اگر ترانزیستور بصورت ضعیف تحریک شود امکان دارد که ترانزیستور به ناحیه فعال کشیده شود که در این حالت نیز به علت بالا بودن ولتاژ ce تلفات در ترانزیستور بالا خواهد بود .

مشخصه سوئیچ زنی:                                

همان گونه که دربارۀ دیود گفته شد ترانزیستور bjtدر زمان روشن شدن و در زمان خاموش شدن بصورت ناگهانی عکس العمل نشان نخواهد داد .

دلیل این قضیه این است که پیوند بیس امیتر علاوه بر خاصیت مقاومتی،یک خاصیت خازنی نیز از خود نشان می دهد و پیوند bc نیز یک خاصیت خازنی از خود نشان می دهد  یعنی شکل (5) را برای ترانزیستور می توانیم داشته باشیم .

وجود این خازنها باعث می شود که چه در لحظه روشن شدن و چه در لحظه خاموش شدن جریان کلکتور به این ترتیب باشد مانند شکل (6) .از بین دو خازن موجود خازن cb به علت داشتن اثر میلر در ضریب تقویت ،تقویت کننده ضرب میشود و اثر بیشتری از خود نشان می دهد . برای جبران این اثر مدار بایاس ترانزیستور را بصورت شکل (7) اصلاح می کنیم .

ثابت زمانی این شبکه باید با ثابت زمانی مدل ترانزیستور برابر باشد تا بهترین حالت کلید زنی را داشته باشیم . به این نوع کنترل ،کنترل وصل تحریک بیس می گویند .

bjt: کلید کنترل شده با جریان

fet: جریان کنترل شده با ولتاژ

mosfet : جریان کنترل شده با ولتاژ

ترانزیستور bgt دارای امپدانس ورودی کم،جریان ورودی زیاد می باشد . امٌا دارای تلفات حالت وصل کوچکی است یعنی اینکه در زمانیکه ترانزیستور وصل است ولتاژ کمی در دو سر ce آن افت می کند .

 برای بهبود وضعیت امپدانس ورودی از ترانزیستورهای fet استفاده می کنیم .این ترانزیستورها ،ترانزیستورهایی می باشند که با تاثیر میدان الکتریکی بین گیت و سورس عمل می کنند در واقع گیت و سورس آن یک دیود در بایاس معکوس می باشد برای بالا بردن امپدانس ورودی و کاهش هر چه بیشتر جریان ورودی گیت را از کانال ds بوسیلۀ یک عایق از جنس اکسید فلز عایق می کنند . در این حالت جریان ورودی به حدود نانو آمپر می رسد .(تقریبأ صفر)

بنابراین استفاده از mosfet ها در الکترونیک صنعتی به عنوان کلیدهایی که مستقیمااز مدارهای میکرو می توانند فرمان بگیرند مطرح می شوند .mosfet به دو دسته تقسیم می شوند . mosfet های تخلیه شونده و دسته دیگر mos های افزودنی .

mosهای مورد استفاده در الکترونیک صنعتی از نوع افزودنی می باشند .

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

گزارش کارآموزی الکترونیک برق منطقه ای باختر

دانلود گزارش کارآموزی الکترونیک، برق منطقه ای باختر

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحات: 17

برخی از عناوین گزارش:

معرفی شرکت برق منطقه ای باختر:

عملکرد دفتر برنامه ریزی فنی:

2-1-برآورد بار:

2-2-مراحل مختلف برنامه ریزی فنی (جهت توسعه شبکه موجود و احداث تجهیزات جدید )

 2-3-مدیریت مصرف :

2-4-GIS :

2-5-کیفیت توان:

امکانات، مزایا و معایب شرکت برق منطقه ای باختر:

تا ریخچه شرکت برق منطقه ای باختر

    تا قبل از تاسیس شرکت برق منطقه ای باختر استانهای لرستان، همدان و مرکزی تحت پوشش برقهای منـــطقه ای غرب و تهـــران بوده اند، با توجه به گسترش روز افزون شبکه های انتقال، فوق توزیع و توزیع و افزایش تعداد مشترکین و بعد مسافت استانهای یاد شده از مراکز شرکتهای فوق الذکر ضرورت امر ایجاب می نمود که شرکتی در محدوده استانهای یاد شده ایجاد گردد.

   در سال 1362 وزیر محترم وقت نیرو از نخست وزیر محترم جمهوری اسلامی ایران خواستار تاسیس شرکتی به نام شرکت منطقه ای برق باختر گردید که پس از طی مراحل قانونی در تاریخ 29/2/ 1363تقدیم مجلس محترم شورای اسلامی گردید .

   اساس نامه شرکت مشتمل بر 18 ماده و 6 تبصره در تاریخ 27/8/1363 به تصویب مجلس محترم شورای اسلامی و در تاریخ 12/10/1363 به تایید شورای محترم نگهبان رسید.

   در نیمه دوم سال 1365 شرکت برق منطقه ای باختر تشکیل که برق استانهای مرکزی، همدان و لرستان زیر نظر این شرکت به مرکزیت اراک فعالیت خود را آغاز نمود.

   پیرو بهبود ساختار تشکیلات صنعت برق و به منظور تامین برق مطمئن تر و ارائه سرویس مطلوب تر با رعایت استاندارد های مربوطه اعم از فنی و اقتصادی در جهت تشکیل توزیع نیروی برق استانی و اعلام داوطلبی شرکت برق منطقه ای باختر در راستای سیاستها و اهداف کلی وزارت نیرو و تعیین خط مشی هاو راهنماهای معاونت امور برق وزارت نیرو  و شرکتهای توزیع برق استانهای مرکزی، همدان و لرستان و شرکتهای مشاوره ای مباشر و تاسیساتی وفنی  و ساختمانی بتانیر تشکیل گردد.

فایل فلش سامسونگ چینی A9000 با پردازشگر MT6580

فایل فلش سامسونگ چینی A9000

 پردازشگر MT6580

قابل رایت با sp

بدون مشکل خاموشی

به همراه فایل nvram جهت ترمیم سریال

اندروید 5.1 

به نکات بعد از خرید توجه کنید که دچار مشکل تصویر نشوید

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

Brand     : alps
ProdName  : full_gxq6580_weg_l
ProdModel : gxq6580_we_l
Device    : gxq6580_weg_l
AndroidVer: 5.1
MTKxCPU   : MT6580
MTKxPRJ   : ALPS.L1.MP6.V2_GXQ6580.WEG.L_P62

فایل فلش ET-86V2G-V1.3 با پردازشگر A13

فایل فلش ET-86V2G-V1.3

پردازشگر A13

تست شده بر روی مدل ET-86V2G-V1.5

قابل رایت با phoenix و  Livesuit

در این فروشگاه کلیه فایل ها تست شده با لینک مستقیم و زیر قیمت میباشد

اما درصورت عدم نتیجه گیری، ما تا آخرین لحظه در کنار شما خواهیم بود

موفقیت فروشگاه ما اتفاقی نیست / درگاه خرید امن، خرید مطمئن

به کانال تلگرام ما بپیوندید و از تخفیف و آموزش و فایل های رایگان با خبر شوید

بهترین تبلیغ ما ، رضایت شماست

تحقیق علم الکترونیک

تحقیق علم الکترونیک در 26 صفحه فایل ورد قابل ویرایش

قسمتی از متن

مقدمه

علم الکترونیک و دیجیتال در طول کمتر از 40 سال توانسته بجای یک ترانزیستور روی یک قطعه، بیش از صدها میلیون ترانزیستور روی همان قطعه جای دهد که خود بیانگر گوشه ای از شتاب رشد تکنولوژی آنها می باشد. این پیشرفت تکنولوژی زمینه را برای ساخت قطعات دیجیتالی و میکروپروسسورها فراهم کرده است.

با ساخت میکروپروسسورها تحولی شگرف در ساخت تجهیزات الکترونیکی نظیر
لوازم خانگی، تجهیزات صنعتی، تجهیزات پزشکی و تجهیزات تجاری و ... بوجود آمده است که بدون آن تصور تجهیزات و وسایل پیشرفته جهان امروز غیر ممکن است. بعنوان نمونه می توان از کامپیوترهای PC، ربات ها، تلفن های همراه، انواع سیستم های اتوماسیون نظیر

   (Distributed System Control) DLC، (Proamable Logic Controg) PLC و انواع وسایل دیجیتالی مدرن نام برد. میکروکنترلرها نیز، قطعه ی شبیه به میکرو پروسسورها بوده که به دلیل ساختار ویژه، در کاربردهای کنترلی کارایی بیشتری از خود نشان می دهد.

در کشور ما میکروکنترلرهای خانوادة 8x51 و بخصوص 8951 (میکروکنترلر شبابه  8051 با ؟ ) و 892051 (میکرو کنترلر 20 پایه با تمام قابلیت های داخلی 8051 و  2k حافظه ؟ کاربرد فراوانی داشته و همچنین خواهد داشت. کمتر دانشگاه یا شرکت یا مؤسسه ای می توان یافت که در کارهای آزمایشگاهی، تحقیقاتی و بخصوص کارهای تولیدی دیگر، تجاری و صنعتی از آن استفاده نکرده باشد و کارآیی آنرا نداند. متأسفاه منابعی که در این زمینه وجود دارد یا کتابهای شرکت سازندة IC می باشند که استفاده از آن، بدون تخصص و تجربه، عملاً امکان پذیر نیست و یا ترجمة بعضی از کتب خارجی است که بدلیل عدم سازگاری با سیستم آموزشی مؤسسات و دانشگاه ها، کتاب سنگین و بعضأ غیر قابل استفاده ای می باشد. بخصوص اینکه در این کتابها پایه و اصول میکروکنترلر تفهیم نشده است. بلکه مستقیمأ سراغ استفاده، آنهم متناسب با ساختار و فرهنگ خودش پرداخته است که معمولاً جز بخشی از آن، آنهم برای افراد با تجربه قابل استفاده نمی باشد.

تعریف پروژه

این پروژه یک تابلو نویسنده است که مغز کنترل کنندة آن یک میکروکنترلر است . این تابلو شامل تعداد 3500  که تعداد 100*35 می باشد. تمام این  بر روی برد استخوانی سوار شده اند که فاصلة هر  تا دیگری از هر جناح، برابر  می باشد. برای فرمان دادن به هر کدام از این  ها باید جریان برابر 35-50 میلی آمپر از آن عبور دهیم . پس برای روشن کردن همزمان تمام  به جریانی معادل 5/7 آمپر نیاز داریم که سخت افزار مدار در این حالت بسیار پیچیده، حجیم، پرمصرف با توان تلفاتی بالا و تقریباً ساخت غیر ممکن آن همراه است و عملاً از این روش نمی توان استفاده کرد.

روشی که برای تمام تابلوهای نویسنده استفاده می شود  کردن نام دارد که در هر لحظه فقط یکی از  ها روشن است و برای روشن کردن کل صفحه، تمام ها باید با سرعت بالا روشن و خاموش شوند. سرعت روشن شدن کل صفحه باید در  باشد تا چشم قادر به دیدن خاموش بودن صفحه نباشد. در هنگام حرکت دادن نوشته، شکل و یا هر چیز دیگر روی تابلو، سرعت چشمک زدن صفحه در هر ثانیه می تواند از 50 بار به 40  بار تقلیل یابد که در این حالت چشم قادر به دیدن خاموشی صفحه نیست.

همچنین برای مجزا کردن هر  از دیگری در هنگام فرمان دادن به 3500  آدرس (هر آدرس برای هر ) نیاز داریم که این روش نیز غیر ممکن می باشد. بنابراین از روش ماتریسی برای دیودها استفاده می کنیم که در این روش انتخاب هر سطر و ستون باعث انتخاب یک  می گردد. ما در این پروژه با استفاده از  8  بیتی توانستیم عملاً نتیجة کار را تا حد قابل قبولی پیش ببریم. در این روش انتخاب یک سطر و 8  ستون همزمان باعث پدیدار شدن کد 8  بیتی می گردد.

در این حالت برای روشن کردن کل صفحه در هر لحظه فقط 8   روشن است و سرعت نسبت به حالت  تک  بیشتر است. (8  برابر)

معرفی قطعات:

* تصویر دیکدر 4*16 :

 در این دیکدر یک کد بایندی دیگر شده و هر لحظه یکی از خروجی ها اکتیو می شود. پایه های  این  توانا ساز این تراشه می باشند که اکتیو  هستند. خروجی های این قطعه نیز اکتیو  می باشند و به هنگام انتخاب شده هر خروجی، آن خروجی از  به  نزول پیدا می کند.

* تصویر دیکدر 2*4 :

این دیکدر همانند دیکدر  است که در این دیکدر فقط دو خط آدرس ار خروجی وجود دارد. تواناساز این  و خروجی آن نیز همانند مالتی پلکسر بالا اکتیو  می باشد.

 * تصویر LATCH:

این قطعه یک قفل کنندة اطلاعات می باشد. که با فرمان به پایة  (می توان خروجی) هر خروجی که قبلاً در این قطعه قفل شده ...